中國上海—2021年6月3日—定制芯(xin)片設計、生產及IP授(shou)權的高(gao)新(xin)技術企業(ye)——燦芯(xin)半導(dao)體(ti)日前宣(xuan)布推出ONFI 4.2 IO及物(wu)理(li)層IP，該IO支持SDR/NV-DDR/NV-DDR2 1.8V, NV-DDR3 1.2V, 該物(wu)理(li)層IP采用全數字設計，具有(you)低功(gong)耗、面(mian)積小等特點。

此次推出的ONFI物理層IP可(ke)應用于開放式NAND閃存界面，兼容ONFI 4.2/4.1/4.0/3.2等標(biao)準，目前該IO及物理層IP已經在40nm工藝(yi)上通過硅驗證(zheng)。

ONFI 4.2物理層IP具有(you)如下(xia)特點：

?   基于 40LL工藝，并通(tong)過流片驗證測試(shi)

? 支持(chi) NV_DDR3 1.2V Max 1600Mbps; NV_DDR21.8V Max 800Mbps

?   支持40LL Max 800Mbps

?   支持芯片內終(zhong)端(duan)匹配電阻(On-Die Termination; ODT)及支持(chi)阻抗校準

?   遵循(xun)國際開放式(shi)NAND閃存界面規范, 支持ONFI4.2/ 4.1/4.0/3.2等標準

?   支持DQS Gate、Write、Read訓(xun)練(lian)

?   采用全(quan)數(shu)字延遲單(dan)元(DLL)

?   采用APB寄存器接(jie)口

“基(ji)于10多年定制(zhi)芯片設(she)計和IP研發的成(cheng)功經(jing)驗，燦芯半導體緊(jin)跟先進工藝，持續為客戶創造價值，” 燦(can)芯(xin)半導體工程副總裁劉亞東(dong)表示(shi)，“ONFI IP已通過流片驗證，將助力客戶快速(su)實(shi)現量產。”

關(guan)于燦芯(xin)半導體

燦芯半(ban)導體(ti)是提供定(ding)制芯片設計、生產及IP授權(quan)的高新技(ji)術(shu)企業，為客戶(hu)提供從芯片架構設計到芯片成品的一站式服(fu)務，致力于為客戶(hu)提供高價(jia)值、差異化的解決(jue)方案。

燦芯半導(dao)體的“YOU”系(xi)列(lie)IP和YouSiP（Silicon-Platform）解決方(fang)(fang)案，經過(guo)完整的流(liu)片(pian)測試驗證。其中(zhong)YouSiP方(fang)(fang)案可(ke)以為系(xi)統公司(si)(si)、無廠半導(dao)體公司(si)(si)提供原(yuan)型設計參(can)考，從而快速贏得市場。

燦芯半導體成立于2008年，公司(si)總部位(wei)于中國上海，為客(ke)戶提(ti)供全方位(wei)的(de)優(you)質服務。