經(jing)企(qi)業申報(bao)、研發機構聯合(he)會推薦、浦東新區科(ke)經(jing)委(wei)資深(shen)專家(jia)的(de)綜(zong)合(he)評選，由(you)燦芯半導體作為第一(yi)完成單位的(de)《一種(zhong)基于28nm、40nm工藝的DDR3/DDR4子系(xi)統設計》，喜獲(huo)上(shang)海市浦(pu)東新區科學技術獎三等獎。科技進(jin)步獎的(de)獲(huo)評(ping)，是(shi)對燦芯(xin)半導(dao)體(ti)研發水平的(de)大力認可(ke)和對燦芯(xin)科研人員成果的(de)積極肯定，是(shi)屬于燦芯(xin)半導(dao)體(ti)整個科研團(tuan)隊的(de)集體(ti)榮譽。

該項目是(shi)基于40納米和(he)28納米工藝自主(zhu)(zhu)研(yan)(yan)發(fa)的(de)(de)(de)先進(jin)DDR解(jie)決方案，支持 DDR3、DDR4應(ying)用(yong)(yong)。隨著信(xin)息化的(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)，市場(chang)對(dui)DDR尤其(qi)是(shi)對(dui)高(gao)端DDR的(de)(de)(de)需求很大(da)，燦芯(xin)半(ban)導(dao)體自主(zhu)(zhu)研(yan)(yan)發(fa)的(de)(de)(de)高(gao)端DDR，現已多次授權給國(guo)(guo)內(nei)(nei)外用(yong)(yong)戶，受到用(yong)(yong)戶的(de)(de)(de)廣泛歡迎和(he)好評，國(guo)(guo)內(nei)(nei)自主(zhu)(zhu)研(yan)(yan)發(fa)DDR能(neng)力及國(guo)(guo)際競(jing)爭力的(de)(de)(de)提高(gao)，有利于推動集(ji)成(cheng)電路設(she)計領域及信(xin)息化的(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)，燦芯(xin)半(ban)導(dao)體在推動國(guo)(guo)產IP發(fa)展(zhan)的(de)(de)(de)同時，也促進(jin)了企(qi)業自身的(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)并樹(shu)立了在業內(nei)(nei)的(de)(de)(de)良(liang)好口碑。

燦(can)芯半導體將(jiang)繼續秉承(cheng)“用心做(zuo)芯”的理念，服務客戶；燦(can)芯人將(jiang)進一步專注科(ke)研創新，攜手努力、勇攀高峰(feng)！