中(zhong)國(guo)，上(shang)(shang)(shang)海(hai)—2016年11月(yue)15日—燦芯(xin)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)（上(shang)(shang)(shang)海(hai)）有限公(gong)司（以(yi)下簡稱“燦芯(xin)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)”），今天宣(xuan)布其YouPHY-DDR系(xi)(xi)列DDR4，DDR3/LPDDR3子系(xi)(xi)統(tong)通過了(le)40納米(mi)低漏(lou)電工藝流片驗證。根據(ju)實(shi)(shi)測數據(ju)，YouPHY-DDR子系(xi)(xi)統(tong)為客戶帶來了(le)低功耗、小面(mian)積的高速(su)DDR方(fang)案，其傳輸速(su)率(lv)成(cheng)功地(di)在(zai)DDR4標準(zhun)上(shang)(shang)(shang)實(shi)(shi)現(xian)(xian)了(le)2400 Mbps，在(zai)DDR3/LPDDR3標準(zhun)上(shang)(shang)(shang)實(shi)(shi)現(xian)(xian)了(le)2133 Mbps。

YouPHY-DDR是(shi)燦(can)芯半導體帶來(lai)的一個(ge)完整DDR解決(jue)方(fang)案，不僅包括DDR控制器(qi)（controller），PHY和(he)I/O，而且包括特(te)別(bie)開(kai)發(fa)的調試和(he)測試軟件(jian)，是(shi)一個(ge)完整的子(zi)系統。該方(fang)案是(shi)基于從40納米(mi)到28納米(mi)的各種(zhong)先進工藝而開(kai)發(fa)，可支持(chi)DDR3、LPDDR3、DDR4和(he)LPDDR4等(deng)應用，支持(chi)從2133Mbps 到3200Mbps的數(shu)據傳(chuan)(chuan)輸速率。其特(te)有的動態(tai)自(zi)(zi)校(xiao)準(zhun)邏(luo)輯（DSCL）和(he)動態(tai)自(zi)(zi)適應比特(te)校(xiao)準(zhun)技(ji)術(DABC)，可自(zi)(zi)動補償芯片級、封裝級、板級和(he)存(cun)儲器(qi)級別(bie)的工藝/電壓(ya)/溫度（PVT）波動而產生的器(qi)件(jian)性能差異，以及實現傳(chuan)(chuan)輸字節間的斜交(jiao)自(zi)(zi)動補償。YouPHY-DDR可以為客戶(hu)提供高性能、低功耗、較小面(mian)積(ji)和(he)較快上市時間的DDR接口IP方(fang)案。

基于此技術(shu)，燦芯半導體將(jiang)會(hui)持續為客(ke)戶提供(gong)先進的(de)高性能、高可靠性的(de)DDR接口(kou)IP解決(jue)方案(an)，其可實(shi)現3200 Mbps傳輸速(su)率的(de)28納(na)米DDR/LPDDR4將(jiang)會(hui)很快(kuai)通過流片驗證。我們相信YouPHY-DDR將(jiang)會(hui)是您DDR接口(kou)IP的(de)合適方案(an)選(xuan)擇。

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