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“第十一屆(2016年度)中國半導體創新產品和技術”項目揭曉,燦芯半導體的“基于28nm工藝的DDR4/LPDDR4子系統設計”獲獎
發布日期: 2017-03-24 訪問量:7328

原作(zuo)者:《中(zhong)國電子報》

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中(zhong)國半導體行(xing)業協會、中(zhong)國電子材料行(xing)業協會、中(zhong)國電子專用設備工業協會、中(zhong)國電子報社共同評選出“第(di)十(shi)一屆(jie)(2016 年度)中(zhong)國半導體創新產品和技術(shu)”62 個項目。

以下(xia)是項目(mu)名單(dan):